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氮化铟
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首页 化学性质 25617-98-5
氮化铟
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CAS No. 25617-98-5
分子式 InN
分子量 128.82
英文名称 INDIUM NITRIDE
中文同义词 氮化铟;氮化铟,99.8%(METALSBASIS);氮化铟(III);一氮化铟
基本信息
产品名称
氮化铟
中文同义词
氮化铟,氮化铟,99.8%(METALSBASIS),氮化铟(III),一氮化铟
英文名称
INDIUM NITRIDE
英文同义词
indiumnitride(inn);INDIUM NITRIDE;INDIUM(III) NITRIDE;INDIUM(III) NITRIDE, 99.9%;Indium nitride, 99.8% (metals basis);Nitriloindium(III);IndiuM nitride (III);Indium mononitride
CAS No.
25617-98-5
分子式
InN
分子量
128.82
EINECS号
247-130-6
MDL NO.
MFCD00016152
MOL
25617-98-5.mol
性质
密度
6,88 g/cm3
形态
hexagonal crystals
熔点
~1900°
折射率
2.92
晶体结构
Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc
EPA化学物质信息
Indium nitride (InN) (25617-98-5)
用途
制备
步骤S1、提供一衬底，在所述衬底上沉积一层介电薄膜； 步骤S2、对所述介电薄膜进行图案化，得到均匀排列的多个介电凸台； 步骤S3、提供一反应室，将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将所述反应室抽真空； 步骤S4、在所述介电凸台及衬底上生长缓冲层，在介电凸台的阻挡下，所述缓冲层的横向生长与纵向生长产生差异，使得所述缓冲层在每一个介电凸台的上方对应形成一个凹槽； 步骤S5、在所述缓冲层上生长氮化铟，得到分别位于所述多个凹槽中的多个氮化铟柱，每一个凹槽中对应形成一个氮化铟柱。
应用
氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件，在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有非常独特的优势，尤其在在制备太赫兹器件，化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。
安全信息
WGK Germany
3
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杭州凯亚达半导体材料有限公司
18148428373
中文名称：
氮化铟
英文名称：
INDIUM NITRIDE
CAS NO.：
25617-98-5
常州市华阳科技有限公司
18961209888 0519-82521156
中文名称：
氮化铟
英文名称：
INDIUM NITRIDE
CAS NO.：
25617-98-5
上海瀚鸿科技股份有限公司
021-54306202
中文名称：
氮化铟
英文名称：
INDIUM NITRIDE
CAS NO.：
25617-98-5
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