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碲化镓
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首页 化学性质 12024-14-5
碲化镓
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CAS No. 12024-14-5
分子式 GaH2Te
分子量 199.34
英文名称 GALLIUM TELLURIDE
中文同义词 碲化镓;碲化镓, 99.999% (METALS BASIS);碲化镓(II), 99.999% (METALS BASIS);碲化镓(II);一碲化镓;碲化镓(II), 痕量分析;碲化镓GATE
基本信息
产品名称
碲化镓
中文同义词
碲化镓,碲化镓, 99.999% (METALS BASIS),碲化镓(II), 99.999% (METALS BASIS),碲化镓(II),一碲化镓,碲化镓(II), 痕量分析,碲化镓GATE
英文名称
GALLIUM TELLURIDE
英文同义词
GALLIUM(II) TELLURIDE;GALLIUM TELLURIDE;galliumtelluride(gate);Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis);Gallium monotelluride;Gallium(II) telluride (GaTe);Gallium(II) telluride lump;Gallium(II) telluride, 99.999%, trace metals basis
CAS No.
12024-14-5
分子式
GaH2Te
分子量
199.34
EINECS号
234-690-1
MDL NO.
MFCD00135536
MOL
12024-14-5.mol
性质
密度
5.440
形态
monoclinic crystals
熔点
824°C
敏感性
Moisture Sensitive
水溶解性
Insoluble in water.
暴露限值
ACGIH: TWA 0.1 mg/m3NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
EPA化学物质信息
Gallium telluride (GaTe) (12024-14-5)
用途
制备
一种二维碲化镓材料的制备方 法，其特点是采用以下步骤：步骤一、采用垂直布里奇曼晶体生长法，将Ga:Te按物质的量比1:1进行配料，制备GaTe单晶体。步骤二、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，选取大块表面光 滑无褶皱的GaTe体材料，并沿自然解理面将其分离为多块。步骤三、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离一块厚度约为6-8μm的GaTe薄片。步骤四、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离，直至胶带表面不再光亮，成功附着较为密集的数百纳米厚度的GaTe片层。
简介
碲化镓（GaTe）中阳离子空位对晶体管性能的影响机制，并且通过抑制这种作用，获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一个重要的III-VI族半导体层状化合物材料，直接带隙约1.7eV，在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构及晶体的高度各向异性，使其在样品制备及器件加工方面存在一定的困难，目前少有关于GaTe纳米片的光电性能研究。
安全信息
TSCA
Yes
安全说明
22-24/25
海关编码
2942000000
危险品标志
Xn
危险类别码
22-36/37/38
编辑结构
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杭州凯亚达半导体材料有限公司
18148428373
中文名称：
碲化镓
英文名称：
GALLIUM TELLURIDE
CAS NO.：
12024-14-5
河南君悦健生物科技有限公司
18661514130  1555-0142250
中文名称：
碲化镓
英文名称：
GALLIUM TELLURIDE
CAS NO.：
12024-14-5
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常州市华阳科技有限公司
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中文名称：
碲化镓
英文名称：
GALLIUM TELLURIDE
CAS NO.：
12024-14-5
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