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磷化铟
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首页 化学性质 22398-80-7
磷化铟
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CAS No. 22398-80-7
分子式 InP
分子量 145.79
英文名称 INDIUM PHOSPHIDE
中文同义词 磷化铟(III);磷化铟, 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块, 99.99% (METALS BASIS);磷化铟, 99.999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块;磷化铟(III), 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟;一磷化铟
基本信息
产品名称
磷化铟
中文同义词
磷化铟(III),磷化铟, 99.9999% (METALS BASIS),磷化铟, 多晶块, 99.99% (METALS BASIS),磷化铟, 99.999% (METALS BASIS),磷化铟, 多晶块,磷化铟(III), 99.9999% (METALS BASIS),磷化铟,一磷化铟
英文名称
INDIUM PHOSPHIDE
英文同义词
InP;INDIUM(III) PHOSPHIDE;Phosphinetriylindium(III);Phosphinidyneindium(III);Indium phosphide/ 99.999%;Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM;Indium phosphide wafer;Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack
CAS No.
22398-80-7
分子式
InP
分子量
145.79
EINECS号
244-959-5
MDL NO.
MFCD00016153
MOL
22398-80-7.mol
性质
Merck
14,4953
密度
4,787 g/cm3
形态
pieces
熔点
1070°C
颜色
Black
水溶解性
Insoluble in water.
(IARC)致癌物分类
2A (Vol. 86) 2006
晶体结构
Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
暴露限值
ACGIH: TWA 0.1 mg/m3NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
CAS 数据库
22398-80-7(CAS DataBase Reference)
EPA化学物质信息
Indium phosphide (InP) (22398-80-7)
用途
用途
用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。
类别
有毒物品
灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
储运特性
库房通风低温干燥
化学性质
磷化铟具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数：10.8。电子迁移率：约4600 cm2/V?s。空穴迁移率：约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。 磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子、光电子功能材料，其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被广泛应用于微波及光电器件领域。
生产方法
用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品。
职业标准
TWA 0.1 毫克 (铟)/立方米
可燃性危险特性
高热产生有毒磷氧化物烟雾
安全信息
TSCA
Yes
RTECS号
NL1800000
WGK Germany
3
安全说明
24/25-45-53
危险品标志
T
危险品运输编号
3288
毒害物质数据
22398-80-7(Hazardous Substances Data)
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上海比客新材料科技有限公司
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中文名称：
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英文名称：
INDIUM PHOSPHIDE
CAS NO.：
22398-80-7
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