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硒化铟
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硒化铟
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CAS No. 12056-07-4
分子式 In2Se3
分子量 466.52
英文名称 INDIUM SELENIDE
中文同义词 铟硒化物;硒化铟;硒化铟, 99.99% (METALS BASIS);三硒化二铟;硒化铟(III), 99.99% (METALS BASIS);硒化铟(III);硒化铟(III), 痕量分析;硒化铟IN2SE3
基本信息
产品名称
硒化铟
中文同义词
铟硒化物,硒化铟,硒化铟, 99.99% (METALS BASIS),三硒化二铟,硒化铟(III), 99.99% (METALS BASIS),硒化铟(III),硒化铟(III), 痕量分析,硒化铟IN2SE3
英文名称
INDIUM SELENIDE
英文同义词
INDIUM(III) SELENIDE;INDIUM SELENIDE;indiumselenide(in2se3);diindium triselenide;Indium(III) Selenide, Lump;Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis);INDIUM(III) SELENIDE, LUMPS;Indium selenide/ 99.999%
CAS No.
12056-07-4
分子式
In2Se3
分子量
466.52
EINECS号
235-016-9
MDL NO.
MFCD00016147
MOL
12056-07-4.mol
性质
密度
5.67 g/mL at 25 °C(lit.)
形态
lumps
熔点
890°C
颜色
Silver-gray
水溶解性
Insoluble in water.
暴露限值
ACGIH: TWA 0.1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3NIOSH: IDLH 1 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3
CAS 数据库
12056-07-4(CAS DataBase Reference)
EPA化学物质信息
Indium selenide (In2Se3) (12056-07-4)
用途
作用
高k电介质可以有效的屏蔽二维场效应晶体管的库伦杂质散射(CI)。多层硒化铟晶体管显示出高场效应迁移率，AlO电介质可以降低库伦散射。硒化铟场效应晶体管的电学稳定性在实际应用中起着至关重要的作用，而电学稳定性体现在传输特性的滞后作用中。
应用
铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料，带隙范围为1.24-1.54eV，具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明，暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。
理化性质
硒化铟是一种无机化合物，化学式为In2Se3。其为黑色晶体或暗黑色鳞片状物质，是典型的二维层状半导体材料。通过In-Se熔融体的X射线衍射研究指出有五种二元化合物，In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4、In2Se3。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。
安全信息
TSCA
Yes
WGK Germany
3
包装类别
III
安全说明
20/21-28-45-60-61
海关编码
3815120090
危险品标志
T,N
危险类别码
23/25-33-50/53
危险品运输编号
UN 3283 6.1/PG 3
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杭州凯亚达半导体材料有限公司
18148428373
中文名称：
硒化铟
英文名称：
INDIUM SELENIDE
CAS NO.：
12056-07-4
常州市华阳科技有限公司
18961209888 0519-82521156
中文名称：
硒化铟
英文名称：
INDIUM SELENIDE
CAS NO.：
12056-07-4
上海卜微应用材料技术有限公司
18930491979 021-64112762
中文名称：
硒化铟
英文名称：
INDIUM SELENIDE
CAS NO.：
12056-07-4
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